RRAM阻變式存儲(chǔ)器測(cè)試儀
(RRAM or ReRAM Test Systems)

本設(shè)備是世界*的阻變式存儲(chǔ)器 （ReRAM/RRAM，Resistive Random Access Memory）測(cè)試系統(tǒng)。

應(yīng)用領(lǐng)域主要有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結(jié)
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應(yīng)存儲(chǔ)器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結(jié)
Electronic Effect Memory (EEM) 電子效應(yīng)存儲(chǔ)器
Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱化存儲(chǔ)器
Valence Change Memory (VCM) 價(jià)變存儲(chǔ)器
Phase Change Memory (PCM) 相變存儲(chǔ)器
Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納米機(jī)電存儲(chǔ)器
Molecular Electronic Switch 分子電子開(kāi)關(guān)

電阻開(kāi)關(guān)測(cè)試系統(tǒng)Resistive Switching Test Systems RS系列儀器是aixACCT公司*產(chǎn)品，用于電阻特性隨機(jī)存儲(chǔ)器（RRAM）和電阻開(kāi)關(guān)（RS）的研究測(cè)試。
RS系列儀器能夠提供相當(dāng)廣的范圍的測(cè)試解決方案，范圍涵蓋從納米尺度的表征到超高速器件的測(cè)試，從獨(dú)立的研發(fā)級(jí)的桌上型測(cè)試系統(tǒng)到半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

研究及工業(yè)級(jí)系統(tǒng) Research and Industry Tools
模塊化的設(shè)計(jì)理念，使得aixACCT產(chǎn)品可以在任何時(shí)候從基本的材料表征工具升級(jí)其他的選件配置。這提供了最大的靈活性，可以使您的測(cè)試系統(tǒng)達(dá)到針對(duì)您的材料或器件發(fā)展的任何階段的特定要求。

RRAM測(cè)試系統(tǒng)可以很容易的和其他設(shè)備或通用軟件聯(lián)用，如：
從1英寸到8英寸晶圓的熱臺(tái)；
用于樣品平行測(cè)試的Switchbox系統(tǒng)
用于晶圓掃描信息的自動(dòng)晶圓探針臺(tái)
自動(dòng)性能測(cè)試序列的遠(yuǎn)程控制
脈沖發(fā)生器、數(shù)字采樣示波器

aixACCT公司開(kāi)發(fā)出了一種通用的RS模塊用于電阻開(kāi)關(guān)存儲(chǔ)器的測(cè)試。系統(tǒng)基于TF Analyzer 2000系統(tǒng)，聯(lián)用RS模塊和特定的電流監(jiān)視放大器，可以滿足RRAM的表征。 系統(tǒng)配置了高精度電壓和電流源以及高級(jí)電壓、電流監(jiān)視放大器。aixACCT的超快電流和電壓適應(yīng)性保證了每次電阻開(kāi)關(guān)系統(tǒng)測(cè)試的高精度和可靠性測(cè)量。

該測(cè)試系統(tǒng)*兼容aixACCT的測(cè)試軟件和選配軟件工具，可以提供可靠性測(cè)試和數(shù)據(jù)分析及交換。

應(yīng)用：
單極及雙極偏壓的I-V表征；
電壓驅(qū)動(dòng)的電流響應(yīng)測(cè)試及電流驅(qū)動(dòng)的電壓響應(yīng)測(cè)試；
可靠性和疲勞測(cè)試；
可編程編成程序；
可靠性和耐久性測(cè)試

優(yōu)點(diǎn)：
一站式單極偏壓和雙極偏壓電阻開(kāi)關(guān)材料的綜合評(píng)價(jià)（TCM,ECM和VCM系統(tǒng)）；
超快響應(yīng)系統(tǒng)（設(shè)置時(shí)間<100ns）；
調(diào)停過(guò)程電流電壓響應(yīng)的真實(shí)電流電壓值的記錄系統(tǒng)；
可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程訪問(wèn)和腳本控制；
可選的數(shù)據(jù)庫(kù)連接（ODBC）方便確定材料/器件特征；
升級(jí)服務(wù)；客戶支持